晶片自主｜传小米首款3纳米晶片成功试产 恐成美国下一制裁目标？ 相关新闻影片极速被撤

近年美国不断收紧高端晶片对华的出口限制，反激励国产晶片不断提升，继华为成功突破美国科技封锁后，最新传出小米（1810）已成功试产首款3纳米晶片。消息曝光后内地网民一片欢欣，然而相关新闻影片很快就被撤下，有业界人士担心，小米恐成美国下一制裁目标。

据《北京卫视》报道，北京市经济和资讯化局总经济师唐建国在某活动中透露，小米已经成功流片国内首款3纳米手机SoC，但未有提及更多细节，小米亦没有发表任何评论，而在消息曝光后没不久，相关新闻影片均被撤下。考虑到近几年面对美国的制裁，中国晶片开发已变成了十分敏感的话题，例如华为新机发布时对处理器了只字不提。

事实上，小米自2017年推出首款自家晶片Surge S1以来，持续积极自研晶片。儘管开发自家晶片的技术门槛极高，导致Surge S2从未问世，但有传闻指小米自研首款3纳米系统单晶片已进入设计封装阶段。

是次成功意味着小米新一代SoC已经可以小规模生产，至于流片代工方，业界认为可能性最大的应该还是台积电，主要因为中芯近年虽进步神速，但距离3纳米製程似乎还有不小的距离。对此，相关企业目前均未回应传言。

外媒则指，参考美国早前已对华为施加严厉制裁，禁止其与台积电等国际晶片代工厂进行业务往来，因此小米是次技术突破，可能也将引发类似的制裁风险。若美国决定对小米施加同样的贸易限制，即使小米拥有自家设计的3纳米晶片，也可能难以实现大规模量产，进而对其全球竞争力产生重大影响。

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